1.1 化学位移

赵成烨 2022-09-19 14:05:36
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1.1.1 化学位移的概念

化学位移(δ),指相对于基准物质所出峰位置的位移距离。

最常用的基准物质:四甲基硅烷(TMS),单峰,其位置为“零”。

化学位移单位:国际通用单位ppm(国内将ppm定义为非法单位,1ppm=1/10^6)

化学位移的物理意义:反映了氢原子核外电子云密度的大小。
由于氢原子核外只有s电子,即反映氢原子核外s电子云密度的大小。

s电子云密度越大,化学位移的数值越小,相应的峰越靠近谱图右侧,反之亦然。

屏蔽效应:使氢谱的峰往右侧移动的作用,会导致化学位移的数值减小。
去屏蔽作用:使氢谱的峰往左侧移动的作用,会导致化学位移的数值增大。

常见官能团化学位移的数值范围,如表1.1所示
表1.1常见官能团氢谱的化学位移数值(变化范围)

1.1.2 影响化学位移的因素

1 化学位移数值首先决定于官能团本身的性质

δ值:不饱和基团>饱和基团
  苯环>烯基
其他影响因素有:

1.1官能团所含碳原子的s-p电子杂化情况

δ值:sp2杂化>sp杂化>sp3杂化

与氢原子相连接的碳原子sp3杂化(碳碳单键)——>sp2杂化(碳碳双键),则δ增大,峰左移。
原因:s电子的成分从25%——>33%,键电子更靠近碳原子,即氢原子核外s电子云密度下降,因而对氢原子产生去屏蔽作用,故化学位移数值增大。

炔氢(sp杂化)由于另外的原因,其

1.2环状共轭体系的环电流效应